官方微信 易配在线|加入收藏
联系我们|综合搜索

意法半导体-MOSFET

产品
莱米特博思特奥托尼克斯内密控瑞普
品牌首页 品牌介绍 资讯 产品分类 排行
相关频道： MOSFET|场效应管
意法半导体产品分类

场效应管

  代理/经销商
  • 杭州华运电气有限公司

    15306522625、15258838741（微信同号）

意法半导体MOSFET关注排行

意法半导体MOSFET 筛选

意法半导体MOSFET

1 / 1

MOSFETSTD8N65M5

晶体管极性：N沟道
漏源电压：650V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：4V
电流, Id 连续：7000mA
更多参数>>

MOSFETSTP3NK80Z

晶体管极性：N沟道
漏源电压：800V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-220
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：2500mA
更多参数>>

MOSFETSTD4NK60ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：2.3V
电流, Id 连续：4000mA
更多参数>>

MOSFETSTD3NK80ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：800V
功耗：70W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：2500mA
更多参数>>

MOSFETSTN1NK80Z

晶体管极性：N沟道
漏源电压：800V
功耗：2.5W
晶体管封装类型：SOT-223
针脚数：4
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：250mA
更多参数>>

MOSFETSTB6NK60ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：110W
晶体管封装类型：TO-263
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：3000mA
更多参数>>

MOSFETSTD3NK60ZT4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：45W
晶体管封装类型：TO-252
针脚数：3
阈值电压：3.75V
电流, Id 连续：2400mA
更多参数>>

MOSFETSTW4N150

晶体管极性：N沟道
漏源电压：1500V
功耗：160W
晶体管封装类型：TO-247
针脚数：3
阈值电压：4V
电流, Id 连续：4000mA
更多参数>>

MOSFETSTD1NK60T4

晶体管极性：N沟道
漏源电压：600V
功耗：30W
晶体管封装类型：SOT-23
针脚数：3
阈值电压：3V
电流, Id 连续：500mA
更多参数>>
共 9 条  当前第 1 页 / 共 1 页

站点地图| 关于网站| 法律声明| 联系我们| 友情链接

邮箱：1010196856@qq.com 客服热线：0571-88802870（工作时间：周一至周五8:30至17:30）
Copyright@2014-2016 www.epiol.com All Rights Reserved   浙ICP备13025252号-2   公安机关互联网站安全 浙公网安备33010502003191号

微信扫一扫


技术咨询