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飞兆半导体-场效应管

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场效应管

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  • 杭州华运电气有限公司

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飞兆半导体场效应管关注排行

飞兆半导体场效应管 筛选

飞兆半导体场效应管

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IGBT模块HGTG12N60A4D

集电极直流电流：54A
集电极发射饱和电压：2.7V
功耗：167W
集电极发射电压：600V
封装类型：TO-247
针脚数：3
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IGBT模块FGA25N120ANTD

集电极直流电流：50A
集电极发射饱和电压：2.5V
功耗：312W
集电极发射电压：1.2kV
封装类型：TO-3P
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块ISL9V3040S3ST

集电极直流电流：21A
集电极发射饱和电压：1.25V
功耗：150W
集电极发射电压：400V
封装类型：TO-263AB
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块HGTP12N60A4D

集电极直流电流：54A
集电极发射饱和电压：2.7V
功耗：167W
集电极发射电压：600V
封装类型：TO-220AB
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块HGTG20N60B3D

集电极直流电流：40A
集电极发射饱和电压：1.8V
功耗：150W
集电极发射电压：600V
封装类型：TO-247
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块HGTG20N60A4D

集电极发射饱和电压：2.7V
功耗：290W
集电极发射电压：600V
封装类型：TO-247
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块FGP5N60LS

集电极直流电流：10A
功耗：83W
集电极发射电压：600V
封装类型：TO-252AA
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块HGTD1N120BNS9A

集电极直流电流：5.3A
集电极发射饱和电压：2.5V
功耗：60W
集电极发射电压：1.2kV
封装类型：TO-252AA
针脚数：3
工作温度最高值：150°C
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IGBT模块ISL9V3040D3ST

集电极直流电流：21A
集电极发射饱和电压：1.9V
功耗：150W
集电极发射电压：400V
封装类型：TO-252AA
针脚数：3
工作温度最高值：175°C
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